أعلنت سامسونج الكترونيكس، الشركة الرائدة في مجال تكنولوجيا الذاكرة المتقدمة، عن بدئها إنتاج الجيل الثاني لذاكرة الوصول العشوائية الديناميكية من فئة 10نانومتر* ،LPDDR4X (طاقة منخفضة، ومعدَل بيانات مزدوج، 4x) وذلك لتحسين الكفاءة وخفض استنزاف الهواتف الذكية المميزة للبطارية وغيرها من تطبيقات الهاتف المحمول.
مقارنة بذاكرة الوصول العشوائية الديناميكية المتنقلة الأكثر استخداماً في الأجهرة المحمولة الرئيسية حالياً (1x-nm 16Gb LPDDR4X)، يتيمز الجيل الثاني من LPDDR4X DRAM بتخفيض طاقة يصل إلى 10 بالمائة مع الحفاظ على نفس معدل البيانات البالغ 4266 ميجابايت في الثانية.
وقال السيد سيون تشون، نائب أول للرئيس لشؤون مبيعات وتسويق الذاكرة في شركة سامسونج الكترونيكس: “سيؤدي وجود الذاكرة العشوائية الديناميكية المتنقلة – فئة 10 نانومتر إلى توفير حلول محسنة بشكل كبير للأجهزة النقالة الرائدة من الجيل التالي والتي ستكون متوفرة في السوق في وقت متأخر من هذا العام أو في أوائل عام 2019، حيث سنستمر في تطوير المجموعة المميزة من ذاكرة الوصول العشوائية الديناميكية لدينا لقيادة فئة شريحة الذاكرة ذات القدرة والأداء العالي و منخفضة الطاقة لتلبية الطلب في السوق وتعزيز القدرة التنافسية لأعمالنا:.
ستقوم سامسونج بتوسيع مجموعة ذاكرة الوصول العشوائة الديناميكية المميزة التي تعتمد على عملية 1y-nm بأكثر من 70 في المائة. ولقد بدأ إنتاج الجيل الأول من من ذاكرةDDR4 بسعة 8 جيجبايت من فئة 10 نانومتر في تشرين الثاني العام الماضي، والاستكمال بشريحة الذاكرة المحمولة LPDDR4X سعة 16 جيجابايت بعد ثمانية أشهر فقط.
وأوضحت شركة سامسونج بأنها أنشأت حزمة ذاكرة الوصول العشوائية الديناميكية LPDDR4X بسعة 8 جيجابايت من خلال الجمع بين أربعة من رقائق ذاكرة الوصول العشوائية الديناميكية LPDDR4Xذات سعة 16 جيجابايت من فئة 10 نانومتر (16جيجابايت = 2 جيجابايت). هذه الحزمة رباعية القنوات يمكنها تحقيق معدل بيانات يبلغ 34.1 جيجابايت في الثانية، وقد تم تخفيض سماكة الرقاقة بأكثر 20 بالمائة من حزمة الجيل الأول، مما يمكِّن المصنعَين الأجهزة الذكية من تصميم أجهزة متنقلة أقل حجماً وأكثر فعالية.
ومع تطورات LPDDR4X، ستقوم شركة سامسونج بتوسيع حصتها في ذاكرة الوصول العشوائة بسرعة في السوق من خلال توفير مجموعة متنوعة من المنتجات ذات السعة الكبيرة، بما في ذلك حزم 4 جيجابايت، 6 جيجابايت، و 8 جيجابايت لشريحة LPDDR4X.
تماشياً مع إطلاق LPDDR4X من فئة 10نانومتر، باشرت سامسونج بتشغيل خط إنتاج جديد من ذاكرة الوصول العشوائية الديناميكية في بونجتاك، كوريا، لضمان إمدادات مستقرة لجميع شرائح الذاكرة العشوائية المتنقلة، استجابةً للطلب المتزايد عليها.
*تشير فئة 10- نانومتر إلى عقدة تقنية عملية في مكان ما بين 10 و 19 نانومتر.
الجدول الزمني: تاريخ الإنتاج الضخم الخاص بسامسونج للإصدارات التجريبية من ذاكرة الوصول العشوائية الديناميكية منذ عام 2012
|
- 2 جيجابايت فئة30 نانومتر 4 جيجابايت LPDDR3، 1600 ميجابايت/ الثانية
|
- 2 جيجابايت فئة 20 نانومتر(2y)4جيجابايت LPDDR3، 2133 ميجابايت/ الثانية
|
- 3 جيجابايت فئة 20 نانومتر(2y)6جيجابايت LPDDR3، 2133 ميجابايت/ الثانية
|
- 3 جيجابايت فئة 20 نانومتر(2z)6جيجابايت LPDDR3، 2133 ميجابايت/ الثانية
|
- 4 جيجابايت فئة 20 نانومتر(2z)8جيجابايت LPDDR4، 3200 ميجابايت/ الثانية
|
- 6 جيجابايت فئة 20 نانومتر(2z)12جيجابايت LPDDR4، 4266ميجابايت/الثانية
|
- 8 جيجابايت فئة 10 نانومتر(1x)16جيجابايت LPDDR4،4266ميجابايت/الثانية
|
- 8 جيجابايت فئة 10 نانومتر(1y)16جيجابايتLPDDR4X،4266ميجابايت/الثانية
*2018.07 تقوم بتطوير 8 جيجابايت من فئة 10 نانومتر LPDDR5، 6400 ميجابايت / الثانية.
